전자문제. N channel Mosfet의 기본적인 구조 , 동작원리(채널형성)를 간략히 설명해주세요

n-channel MOSFET은 P형 Substrate (기판)에 n+로 강하게 도핑해 소스와 드레인을

형성한 후, 소스와 드레인 사이에 있는 Substrate 표면에 Gate Oxide 및 금속 전극을

적층한 구조로 되어 있습니다. 그리고 이 소자의 동작 원리는 아래 그림과 같습니다.

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n-channel MOSFET의 경우 게이트에 + 전압을 가하면, Substrate에 있던 전자들이

게이트 쪽으로 모여 들게 되고, 이때 게이트 전압이 문턱 전압을 넘게 되면, Oxide-

Semiconductor 계면에서 n-channel이 형성되게 됩니다.

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그리고 이렇게 형성된 n-channel을 Inversion Layer (반전층)이라고 부르는데 이것이

바로 소스와 드레인 사이의 전류의 통로가 됩니다.

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그럼 소스와 드레인은 n+로 강하게 도핑돼 있는 상태이므로, 소스에 GND, 드레인에

+ 전압 (Vd)을 가하면, 드레인 전류 (Id)가 게이트 전압의 크기에 비례해 선형적으로

증가하게 됩니다..^^